Aser Technology: Intel mostra il primo transistor tri-gate 3D realizzato a 22nm

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giovedì 5 maggio 2011

Intel mostra il primo transistor tri-gate 3D realizzato a 22nm

del: 5-mag-2011 Fonte: Dinox PC News
Intel fa un nuovo passo in avanti nella produzione di chip elettronici grazie ad un'importante rivoluzione nella tecnologia che permettera' all'azienda di realizzare microprocessori con transistor tri-gate 3D e tecnologia di processo a 22 nanometri (nm). Questi transistor, di cui Intel stessa aveva parlato per la prima volta nel 2002, co...

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